鋰電池保護(hù)板常見不良故障分析2021-03-11 09:35
此類不良首先排除電芯不良(電芯本來無電壓或電壓低),如果電芯不良則應(yīng)測試保護(hù)板的自耗電,看是否是保護(hù)板自耗電過大導(dǎo)致電芯電壓低。如果電芯電壓正常,則是由于保護(hù)板整個回路不通(元器件虛焊、假焊、FUSE不良、PCB板內(nèi)部電路不通、過孔不通、MOS、IC損壞等)。具體分析步驟如下:
(1)用萬用表黑表筆接電芯負(fù)極,紅表筆依次接FUSE、R1電阻兩端,IC的Vdd、Dout、Cout端,P+端(假設(shè)電芯電壓為3.8V),逐段進(jìn)行分析,此幾個測試點(diǎn)都應(yīng)為3.8V。若不是,則此段電路有問題。
1. FUSE兩端電壓有變化:測試FUSE是否導(dǎo)通,若導(dǎo)通則是PCB板內(nèi)部電路不通;若不導(dǎo)通則FUSE有問題(來料不良、過流損壞(MOS或IC控制失效)、材質(zhì)有問題(在MOS或IC動作之前FUSE被燒壞),然后用導(dǎo)線短接FUSE,繼續(xù)往后分析。
2. R1電阻兩端電壓有變化:測試R1電阻值,若電阻值異常,則可能是虛焊,電阻本身斷裂。若電阻值無異常,則可能是IC內(nèi)部電阻出現(xiàn)問題。
3. IC測試端電壓有變化:Vdd端與R1電阻相連。Dout、Cout端異常,則是由于IC虛焊或損壞。
4. 若前面電壓都無變化,測試B-到P+間的電壓異常,則是由于保護(hù)板正極過孔不通。
(2)萬用表紅表筆接電芯正極,激活MOS管后,黑表筆依次接MOS管2、3腳,6、7腳,P-端。
1.MOS管2、3腳,6、7腳電壓有變化,則表示MOS管異常。
2.若MOS管電壓無變化,P-端電壓異常,則是由于保護(hù)板負(fù)極過孔不通。
B、 短路無保護(hù):
1. VM端電阻出現(xiàn)問題:可用萬用表一表筆接IC2腳,一表筆接與VM端電阻相連的MOS管管腳,確認(rèn)其電阻值大小??措娮枧cIC、MOS管腳有無虛焊。
2. IC、MOS異常:由于過放保護(hù)與過流、短路保護(hù)共用一個MOS管,若短路異常是由于MOS出現(xiàn)問題,則此板應(yīng)無過放保護(hù)功能。
3. 以上為正常狀況下的不良,也可能出現(xiàn)IC與MOS配置不良引起的短路異常。如前期出現(xiàn)的BK-901,其型號為‘312D’的IC內(nèi)延遲時間過長,導(dǎo)致在IC作出相應(yīng)動作控制之前MOS或其它元器件已被損壞。注:其中確定IC或MOS是否發(fā)生異常最簡易、直接的方法就是對有懷疑的元器件進(jìn)行更換。
C、 短路保護(hù)無自恢復(fù):
1. 設(shè)計時所用IC本來沒有自恢復(fù)功能,如G2J,G2Z等。
2. 儀器設(shè)置短路恢復(fù)時間過短,或短路測試時未將負(fù)載移開,如用萬用表電壓檔進(jìn)行短路表筆短接后未將表筆從測試端移開(萬用表相當(dāng)于一個幾兆的負(fù)載)。
3. P+、P-間漏電,如焊盤之間存在帶雜質(zhì)的松香,帶雜質(zhì)的黃膠或P+、P-間電容被擊穿,IC Vdd到Vss間被擊穿.(阻值只有幾K到幾百K)。
4. 如果以上都沒問題,可能IC被擊穿,可測試IC各管腳之間阻值。
D、 內(nèi)阻大:
1. 由于MOS內(nèi)阻相對比較穩(wěn)定,出現(xiàn)內(nèi)阻大情況,首先懷疑的應(yīng)該是FUSE或PTC這些內(nèi)阻相對比較容易發(fā)生變化的元器件。
2. 如果FUSE或PTC阻值正常,則視保護(hù)板結(jié)構(gòu)檢測P+、P-焊盤與元器件面之間的過孔阻值,可能過孔出現(xiàn)微斷現(xiàn)象,阻值較大。
3. 如果以上多沒有問題,就要懷疑MOS是否出現(xiàn)異常:首先確定焊接有沒有問題;其次看板的厚度(是否容易彎折),因為彎折時可能導(dǎo)致管腳焊接處異常;再將MOS管放到顯微鏡下觀測是否破裂;最后用萬用表測試MOS管腳阻值,看是否被擊穿。
E、 ID異常:
1. ID電阻本身由于虛焊、斷裂或因電阻材質(zhì)不過關(guān)而出現(xiàn)異常:可重新焊接電阻兩端,若重焊后ID正常則是電阻虛焊,若斷裂則電阻會在重焊后從中裂開。
2. ID過孔不導(dǎo)通:可用萬用表測試過孔兩端。
3. 內(nèi)部線路出現(xiàn)問題:可刮開阻焊漆看內(nèi)部電路有無斷開、短路現(xiàn)象。
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